HTB-MS/HTB-MM

シンプルな加圧・加熱接合装置
HTBMS

製品概要

実験研究所・大学研究室などでの半導体、パワーデバイス、フィルム材料等の開発に適した、シンプルな加圧・加熱接合装置です。
HTB-MMは、大型ステージにより、ギャングボンディングの開発に最適です。

製品の特長

特長その1

HTB-MSは1000N、MMは5000Nまでの高加圧を、高分解能にて制御可能な装置です。
SiC、GaNといった次世代パワーデバイスの焼結接合（シンタリング接合）の開発に適しています。

特長その2

セラミックヒータを搭載可能で、450℃までの温度プロファイルで制御できます。
N2環境での接合も可能です。

特長その3

光学系を構成したステージに交換することで、加圧加熱時の材料の挙動をリアルタイムで観察が可能です。

標準仕様

機種名 高精度加圧・加熱接合装置
型式 HTB-MS HTB-MM
ステージサイズ □30mm x 30mm □100mm x 100mm
加熱レンジ（ヘッド） RT～300℃±15℃
（コンスタントヒート）
パルスヒートオプション有		 RT～300℃±15℃
（コンスタントヒート）
パルスヒートオプション有
加熱レンジ（ステージ） RT～300℃±15℃
（コンスタントヒート）
パルスヒートオプション有		 RT～300℃±15℃
（コンスタントヒート）
パルスヒートオプション有
ヘッド加圧力 10N～1000N　±5% 100N～5000N　±15%
Ｚ方向変位計測 分解能1μm
ヘッド/ステージ間平行度 ±3μm ±3μm/□20mm、
±20μm/□100mm
外形寸法
（＊パトライト・操作部除く）		 高さ（H） 1,550mm 1,550mm
幅（W） 600mm 600mm
奥行（D） 600mm 600mm
重量 約200kg 約280kg
動力源 電源 3相　AC200V（50/60Hz）30A 1系統、15A 1系統
ドライエア 0.5MPa 245L/min
オプション パルスヒート（ヘッド・ステージ）MAX450℃

ヘッド平行度の自動制御システム
接合観察ユニット		 パルスヒート（ヘッド）MAX450℃
（サイズは要打合せ）
接合観察ユニット
N2パージBOX

用途事例

・パワー半導体のシンタリング接合のプロセス開発。
・大面積ステージで、複数チップを一括接合(一括処理)する、ギャングボンディング開発。
・熱と圧力で変化するフィルム・ペースト等の挙動を観察。

HTB-MS/HTB-MMの関連装置

HTB-M＋Smart R-Box

HTB-M＋Smart R-Box

・完全密閉チャンバーによる、不活性ガス環境での加圧・加熱が可能
・コンパクトなチャンバーにより、短いサイクルタイムでの接合実験が可能

【特許権利化済】（日本・中国）